產(chǎn)品詳情
IGBT、功率模塊測試：參數(shù)測試與可靠性試驗(yàn)
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品形態(tài)多種多樣，幾乎所有與電力能源相關(guān)的產(chǎn)品都需要用到功率半導(dǎo)體器件。按照年產(chǎn)值貢獻(xiàn)口徑，IGBT、MOSFET、二極管和整流橋是功率半導(dǎo)體*主要的四個(gè)產(chǎn)品類別，占據(jù)功率半導(dǎo)體八成左右市場。
解決方案
廣電計(jì)量（GRGT）積極布局新型IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件的測試業(yè)務(wù)，引進(jìn)國際先進(jìn)的測試技術(shù)，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測服務(wù)。同時(shí)，廣電計(jì)量通過構(gòu)筑檢測認(rèn)證與分析一體化平臺(tái)，為客戶提供器件可靠性驗(yàn)證及失效分析，幫助客戶分析失效機(jī)理，指導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計(jì)及工藝改進(jìn)。
靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數(shù)測試項(xiàng)目：
- Drain to Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓
- Drain Leakage Current 漏極漏電流
- Gate Leakage Current (Positive gate bias) 柵極漏電流 (正向柵偏)
- Gate Leakage Current (Negative gate bias) 柵極漏電流 (反向柵偏)
- Gate Threshold Voltage (VGS = VDS) 柵極閾值電壓 (VGS = VDS)
- Gate Threshold Voltage (Constant VDS) 柵極閾值電壓 (恒定VDS)
- Transconductance 跨導(dǎo)
- Drain to Source On Resistance 漏極-源極導(dǎo)通電阻
- Drain to Source On Voltage 漏極-源極導(dǎo)通電壓
- Body Diode Forward Voltage 體二極管正向電壓
- Internal Gate Resistance 柵極內(nèi)阻
- Input Capacitance 輸入電容
- Output Capacitance 輸出電容
- Reverse Transfer Capacitance 反向傳輸電容
- Total Gate Charge 柵極電荷
- Gate to Source Charge 柵極-源極電荷
- Gate to Drain Charge 柵極-漏極電荷
- Gate to Source Plateau Voltage 柵極-源極平臺(tái)電壓
- Turn-On Delay Time 開通延遲時(shí)間
- Rise Time 上升時(shí)間
- Turn-Off Delay Time 關(guān)斷延遲時(shí)間
- Fall Time 下降時(shí)間
- Turn-on energy 開通能量
- Turn-off energy 關(guān)斷能量
- Reverse Recovery Time 反向恢復(fù)時(shí)間
- Reverse Recovery Charge 反向恢復(fù)電荷
- Reverse Recovery Current 反向恢復(fù)電流
- Peak Diode Recovery 二極管反向恢復(fù)峰值
- ID-VDS curve with various VGS 不同VGS下的ID-VDS曲線
- ID-VGS curve with constant VDS 恒定VDS下的ID-VGS曲線
- Gfs-VGS curve with constant VDS 恒定VDS下的Gfs-VGS曲線
- RDS(on)-ID curve with various VGS 不同VGS下的RDS(on)-ID曲線
- RDS(on)-VGS curve with various ID 不同ID下的RDS(on)-VGS曲線
- VDS-VGS curve with various ID 不同ID下的VDS-VGS曲線
- Forward current characteristics of built-in diode 內(nèi)置二極管的IS-VS曲線
- Capacitance to VDS curve including Ciss, Coss and Crss Ciss/Coss/Crss電容-VDS曲線
- Gate charge to VGS curve 柵極電荷-VGS曲線
- short-circuit capability 短路耐量
- thermal resistance, junction - case 結(jié)-殼熱阻
IGBT\功率模塊可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目：
- External Visual 外觀檢查
- High Temperature Reverse Bias 高溫反向偏壓
- High Temperature Gate Bias 高溫柵極偏壓
- Thermal shock test 熱沖擊
- Vibration 振動(dòng)
- Mechanical shock 機(jī)械沖擊
- Unbiased Highly Accelerated Stress Test 無偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)
- Autoclave 高壓釜試驗(yàn)
- Highly Accelerated Stress Test 高加速應(yīng)力試驗(yàn)
- High Humidity High Temp. Reverse Bias 高溫高濕反向偏壓
- High-temperature storage 高溫存儲(chǔ)
- Low-temperature storage 低溫存儲(chǔ)
- Insulation test 絕緣測試
- Power cycling 功率循環(huán)
- Power cycle 功率循環(huán)
- ESD Characterization EDS特性
- Destructive Physical Analysis 破壞性物理分析
- Physical Dimension 物理尺寸
- Resistance to Solder Heat 焊接熱耐久性
- Solderability 可焊性
- Thermal Resistance 熱阻
- Wire Bond Strength 引線鍵合強(qiáng)度
- Bond Shear 鍵合剪切試驗(yàn)
- Die Shear 芯片剪切試驗(yàn)
- Dielectric Integrity 介電強(qiáng)度試驗(yàn)
