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主要用于存儲程序中的變量。在單芯片單片機中(*1),常常用SRAM作為內部RAM。SRAM允許高速訪問,內部結構太復雜,很難實現(xiàn)高密度集成,不適合用作大容量內存。除SRAM外,DRAM也是常見的RAM。DRAM的結構比較容易實現(xiàn)高密度集成,比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM安裝于同一個晶片上較為困難,一般在單芯片單片機中很少使用,基本上都是用作電路。(*1)單芯片單片機是指:將CPU,ROM,RAM,振蕩電路,定時器和串行I/F等集成于一個LSI的微處理器。
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現(xiàn)在自動化控制過程中,除非一些簡單的控制柜的組合,這些地方基本用IO點就能將所有的動作實現(xiàn),而稍微復雜一點點的工程項目,肯定會有像模擬量采集或者通信這樣的需求,而我這邊在次使用博圖的時候,就需要使用模擬量采集的信號,當時在搜索過程中,查了很多相關的資料,終我選擇使用指令中的標準與縮放兩個指令來實現(xiàn)這個控制的,這里貼出我的程序,希望能給大家一點點幫助,或者大家告訴我還有別的方式采集的話,更簡便,以前我還使用過S7-200這款plc,還有歐姆龍CJ1M中也使用過,下面這些圖片大家先看下,有的可能以后你們使用中會遇到一些,是可以直接套用的。三相電機額定耗電量,按實際功率=電流×電壓×根號3計算。功率P=√3UIcosφ功率P乘以小時數(shù)就是用電量。三相電動機實際用電量,取決于實際負荷大小。可以測量實際電流,計算實際功率,再乘小時數(shù),即可得到用電量.電機的額定功率是電機的額定輸出功率,而不是額定輸入功率。通過額定功率計算額定輸入功率按照公式:額定輸入功率=額定電流×額定電壓×根號3額定輸入功率=額定功率÷效率÷功率因數(shù)三相電機:指當電機的三相定子繞組(各相差120度電角度),通入三相交流電后,將產(chǎn)生一個旋轉磁場,該旋轉磁場切割轉子繞組,從而在轉子繞組中產(chǎn)生感應電流。