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詳細參數(shù)
品牌其他型號2MBI1000VXB-170E-54
接口類型DisplayPort支持卡數(shù)多合一
讀卡類型TF外形結構矩形
制作工藝冷壓特性耐火型
加工定制

產品詳情

富士電機自創(chuàng)業(yè)以來已有90余年,在這悠久的歷史中,富士電機不斷革新能源技術,在產業(yè)和社會領域中為世界作出巨大貢獻。中國與富士電機的淵源由來已久,可追溯至1965年在四川省射洪縣引進中國首例的閥門水輪發(fā)電機。 如今,地球正因前所未有的人口激增和工業(yè)化的急速發(fā)展,面臨著各種各樣的能源問題和環(huán)境問題。即便是已經(jīng)擁有全球性經(jīng)濟規(guī)模,每年保持快速增長的中國,也日益重視如何構筑一個環(huán)保和節(jié)能雙贏的和諧社會這一課題。

電機驅動系統(tǒng)的電磁兼容性概述:

近年來,對于使用 IGBT 模塊的變頻器、UPS 等電力電子設備來說,滿足歐州 CE 標識及日本 VCCI(信息 技術設備自發(fā)控制理事會)標準的 EMC 措施,已經(jīng)變得不可或缺。 EMC(Electric Magnetic Compatibility, 電磁兼容)可分為 EMI(Electric Magnetic Interference, 電磁干擾)和 EMS(Electric Magnetic Susceptibility, 電磁抗干擾)。EMI 是電子裝置對周圍設備所產生 的負面影響,亦稱為干擾。共有兩種形式的 EMI,一種是傳導干擾,主要影響電源線;另一種是輻射干擾, 以電磁波的形式發(fā)射出來。EMS 即電子裝置對周圍環(huán)境中電磁波、靜電釋放、雷電沖擊波等的抗干擾性,也 稱為電磁抗干擾性。 如圖 10-1 所示,由于 IGBT 模塊在 500ns 的時間內快速開通及關斷數(shù)百伏/安的電壓和電流,很容易產生 傳導干擾及輻射干擾。對 IGBT 模塊的應用進行設計時, 降低這些干擾尤為重要。 本章中,考慮到 IGBT 模塊的應用(EMI 特性)對于系 統(tǒng)其它裝置的影響,針對該影響及其應對措施進行相關介 紹。

FUJI富士IGBT模塊2MBI1000VXB-170E-54代理服務周到 ,北京一祥聚輝科貿有限公司為富士功率半導體器件在中國區(qū)域的正規(guī)分銷商,負責富士功率半導體在中國市場的推廣和銷售工作,可以提供強大的技術支持,常備大量現(xiàn)貨,歡迎選購!

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