產(chǎn)品詳情
FUJI富士電機作為IGBT硅片生產(chǎn)領先廠家,最早將IGBT模塊引入中國。經(jīng)過十幾年的不斷發(fā)展,半導體器件已在國內(nèi)UPS、電鍍電源、變頻器領域得到了廣泛應用，已成為經(jīng)典使用器件。FUJI富士IGBT模塊2MBI1000VXB-170E-54分銷專業(yè)發(fā)貨快速
IGBT其它實際使用中的注意事項：
1) 請在模塊驅動端子處測量驅動電壓（VGE），并確保外加電壓為既定電壓（如果在驅動電路端測量，則該 驅動電壓為不受驅動電路終端使用的晶體管電壓降、驅動線纜寄生電感等影響的電壓，即使 IGBT 上沒 有外加既定電壓，這種不良情況可能不被察覺，因而可能導致元件損壞）。
2) 請通過產(chǎn)品的主端子測量開通、關斷時的脈沖電壓等。若說明書中另有測量端子的記載，請在該端子進 行測量。
3) 請在產(chǎn)品的最大額定值（電壓、電流、溫度等）范圍內(nèi)使用。一旦超出最大額定值，可能損壞產(chǎn)品。特 別是外加超過 VCES的電壓時，可能發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象從而使元件損壞。因此，請務必在 VCE的最大額定值 范圍內(nèi)使用。
4) 考慮到萬一發(fā)生意想不到的事故而損壞元件，請務必在商用電源和半導體電子設備之間安裝適當容量的 保險絲或自動斷路器，防止二次損壞。
5) 請在充分把握產(chǎn)品的使用環(huán)境，充分考慮能否滿足產(chǎn)品的可靠性壽命的前提下使用。如果在超過可靠性 壽命的情況下，元件可能在裝置的目標壽命前損壞。
6) 請在功率周期壽命之內(nèi)使用本產(chǎn)品。功率周期壽命除了受ΔTj影響以外，還會受到ΔTc的影響。ΔTc是 外殼溫度(Tc)升降引起的熱應力，受使用產(chǎn)品時散熱設計的影響。外殼溫度升降頻繁，將會極大地影響 產(chǎn)品壽命，請充分注意。
7) 請避免在含有酸、有機物、腐蝕性氣體（硫化氫、亞硫酸氣體等）的地方使用。否則，將很難保證產(chǎn)品 的性能、外觀等。
8) 把產(chǎn)品實際安裝在裝置上時，請不要讓主端子和控制端子受到過大的應力，否則由于端子變形會引起接 觸不良或端子構造的損壞。
9) 本產(chǎn)品使用的螺釘長度，請根據(jù)外形圖正確選擇。螺釘過長將會損壞內(nèi)部硅膠，甚至引起模塊損壞。
10) 僅使用 FWD 而不使用 IGBT 時（比如斬波電路等應用），不使用的 IGBT 的 G－E 間請外加－5V 以上（推 薦-15V，最大-20V）的反偏壓。反偏壓不足時，IGBT 可能由于 FWD 反向恢復時的 dv/dt 引起誤觸發(fā)而 損壞。
11) 如果開通 dv/dt 偏高，則半橋模塊對稱支路的 IGBT 可能發(fā)生誤觸發(fā)。為了避免誤觸發(fā)，請在最適合的 門極驅動條件（+VGE、-VGE、Rg、CGE）下使用。
12) 若使用過高的溫度錫焊產(chǎn)品，可能引起封裝的劣化。請注意焊接工藝。
13) 冷卻散熱器的螺釘?shù)陌惭b位置間的平坦度請控制在 100mm 范圍內(nèi)為 50 ?以下，表面的粗糙度請控制在 10 ?以下。如果突出彎曲過大，會導致本產(chǎn)品絕緣部分損壞，引發(fā)重大事故。此外，還能導致產(chǎn)品與 冷卻散熱器間的空隙增大，散熱能力下降，引起熱損壞。
