產(chǎn)品詳情
武漢開(kāi)瑞電氣有限公司銷售英飛凌IGBT十年之久。
1. IGBT模塊的選定
在使用IGBT模塊的場(chǎng)合，選擇何種電壓，電流規(guī)格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。
a. 電流規(guī)格
IGBT模塊的集電極電流增大時(shí)，VCE(-)上升，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，原件發(fā)熱加劇。因此，根據(jù)額定損耗，開(kāi)關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量，控制器件結(jié)溫（Tj）在 150oC以下（通常為安全起見(jiàn)，以125oC以下為宜），請(qǐng)使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱也加劇，需十分注意。
一般來(lái)說(shuō)，要將集電極電流的值控制在直流額定電流以下使用，從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。
2. 防止靜電
IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場(chǎng)合，由于會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn)，因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點(diǎn)請(qǐng)注意。
在使用裝置的場(chǎng)合，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(shí)（珊極處于開(kāi)路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。
此外，由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于靜電就要十分注意。因此，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：
1)在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí)，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部份。
2)在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí)，在配線未布好之前，請(qǐng)先不要接上模塊。
3)盡量在底板良好接地的情況下操作。
4)當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸。
5)在焊接作業(yè)時(shí)，焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產(chǎn)生，為了防止靜電的產(chǎn)生，請(qǐng)先將焊機(jī)處良好的接地狀態(tài)下。
6)裝部件的容器，請(qǐng)選用不帶靜電的容器。
3.并聯(lián)問(wèn)題
用于大容量逆變器等控制大電流場(chǎng)合使用IGBT模塊時(shí)，可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。
并聯(lián)時(shí)，要使每個(gè)器件流過(guò)均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達(dá)到破壞，那么電過(guò)于集中的那個(gè)器件將可能被損壞。
為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡，適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯(lián)是很重要的。
4.其他注意
1)保存半導(dǎo)體原件的場(chǎng)所的溫度，溫度，應(yīng)保持在常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5－35℃，常濕的規(guī)定為45—75％左右。
2)開(kāi)、關(guān)時(shí)的浪涌電壓等的測(cè)定，請(qǐng)?jiān)诙俗犹帨y(cè)定。
我司現(xiàn)有庫(kù)存及常用型號(hào)如下：
英飛凌IGBT
FF450R17ME4
2A200HB12C2F
F3L100R07W2E3_B11
F3L300R07PE4
FF600R17ME4
FS150KT4
FP150KT4
FS200KT4R
FF450ME4
F3L400PT4_B26
DZ800S17K3
FP100KT4
FP75N2T7可替代FP75KT4
FF1400IP4
FF1000R17IE4
FF1800R17IP5
FF300R06KE3
FZ400KE3
FF400R33KF2C
FZ800R33KF2C
