產(chǎn)品詳情
富士電機(jī)簡介：
富士電機(jī)早在1923年成立以來，一直致力于技術(shù)革新和挑戰(zhàn)，為顧客提供高質(zhì)量的服務(wù)。
富士電機(jī)集團(tuán)是“向客戶提供滿足的企業(yè)”的代名詞。不斷向具有獨(dú)創(chuàng)性的技術(shù)革新挑戰(zhàn),為客戶竭誠服務(wù)。
FUJI ELECTRIC富士電機(jī)發(fā)揮創(chuàng)業(yè)以來積累的“自由操控電力”的電力電子技術(shù)優(yōu)勢，成為“環(huán)境，能源”領(lǐng)域舉足輕重的國際企業(yè)。
FUJI ELECTRIC富士電機(jī)研發(fā)制造高品質(zhì)電力電子功率半導(dǎo)體IGBT/IPM，為太陽能發(fā)電，風(fēng)力發(fā)電，智能電網(wǎng)，工業(yè)自動(dòng)化變頻伺服，鐵路機(jī)車，電動(dòng)汽車等提供核心功率器件，為高效化和節(jié)能做貢獻(xiàn)！
日本富士IGBT模塊/FUJI IGBT模塊 包括1MBI、2MBI、6MBI系列標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊；6MBP、7MBP系列智能IGBT模塊（IPM)，7MBR系列智能功率集成模塊（PIM)，質(zhì)量優(yōu)良，價(jià)格優(yōu)惠.廣泛應(yīng)用于變頻器、逆變焊機(jī)、開關(guān)電源等領(lǐng)域。北京一祥聚輝科貿(mào)有限公司作為富士IGBT代理/fuji IGBT代理/富士IGBT模塊代理/fuji IGBT模塊代理，致力于為客戶現(xiàn)貨提供原裝正品，常備現(xiàn)貨.
【詳細(xì)說明】
一、1MBI系列富士IGBT/fuji IGBT（一單元），部分型號(hào)如下：
1MBI1200UC-120 1MBI150NH-060B 1MBI150NK-060 1MBI1600UC-120 1MBI200F-120 1MBI200L-120 1MBI200N-120 1MBI200NH-060 1MBI200NK-060 1MBI200S-120 1MBI2400UD-120 1MBI300F-060 1MBI300F-120 1MBI300JN-120 1MBI300JP-120 1MBI300L-060 1MBI300L-120 1MBI300N-120 1MBI300NN-120 1MBI300NP-120 1MBI300S-120 1MBI300U4-120 1MBI300U4H-120 1MBI3600UD-120 1MBI400F-060 1MBI400JN-120 1MBI400JP-120 1MBI400L-060 1MBI400L-120 1MBI400N-120 1MBI400NN-12 1MBI400NP-120
1MBI400S-120 1MBI400U-120 1MBI600LN-060 1MBI600LP-060 1MBI600N-060 1MBI600NN-060 1MBI600NP-060 1MBI600PX-120 1MBI600PX-140 1MBI800PN-180 1MBI800U4B-120 1MBI800U4B-120 1MBI800UB-120
二、2MBI系列富士IGBT模塊/fuji IGBT模塊（兩單元），部分型號(hào)如下：
2MBI100F-120 2MBI100J-120 2MBI100J-140 2MBI100L-060 2MBI100L-120 2MBI100N-060 2MBI100N-120 2MBI100NB-120 2MBI100ND-120 2MBI100PC-140 2MBI100SC-120 2MBI100U4A-120 2MBI100U4A-120 2MBI100U4H-170 2MBI100UA-120 2MBI1200UC-120 2MBI1200UG-170 2MBI150F-060 2MBI150F-120 2MBI150J-060 2MBI150KB-060 2MBI150L-060 2MBI150L-120 2MBI150LB-060 2MBI150N-060 2MBI150N-120 2MBI150NB-120 2MBI150NC-060 2MBI150NC-120 2MBI150ND-060 2MBI150ND-120 2MBI150NK-060 2MBI150NR-060 2MBI150PC-140 2MBI150SC-120 2MBI150SD-060 2MBI150TA-060 2MBI200F-060 2MBI200J-060 2MBI200J-120 2MBI200J-140 2MBI200K-060 2MBI200KB-060 2MBI200L-060 2MBI200L-120 2MBI200LB-060 2MBI200N-060 2MBI200N-120 2MBI200NB-120 2MBI200PB-140 2MBI200S-120 2MBI300F-060 2MBI300J-060 2MBI300K-060 2MBI300KB-060 2MBI300L-060 2MBI300N-060 2MBI300N-120 2MBI300P-140 2MBI300S-120 2MBI300U4H-170 2MBI300UC-120 2MBI300UD-120 2MBI300UE-120 2MBI400K-060 2MBI400L-060 2MBI400N-060 2MBI400U4H-120 2MBI400U4H-120 2MBI400U4H-170 2MBI400U4H-170 2MBI450U4E-120
三、6MBI系列富士IGBT/fuji IGBT（六單元），部分型號(hào)如下：
6MBI10GS-060 6MBI15GS-060 6MBI20GS-060 6MBI10S-120 6MBI15S-120 6MBI25S-120 6MBI35S-120 6MBI50S-120 6MBI75S-120 6MBI100S-120 6MBI50U4A-120 6MBI75U4A-120 6MBI75U4B-120 6MBI100U4B-120 6MBI150U4B-120 6MBI225U4-120 6MBI300U4-120 6MBI450U4-120
四、6MBP、7MBP系列富士ipm/Fuji ipm/富士智能IGBT/fuji智能IGBT，部分型號(hào)如下：
6MBP15RH-060 6MBP20RH-060 6MBP30RH-060 6MBP50RA060 6MBP75RA060 6MBP100RA060 6MBP150RA060 6MBP200RA060 6MBP300RA060 7MBP50RA060 7MBP75RA060 7MBP100RA060 7MBP150RA060 7MBP200RA060 7MBP300RA060 6MBP50RTB060 6MBP75RTB060 6MBP100RTB060 6MBP150RTBA060 7MBP50RTB060 7MBP75RTB060 7MBP100RTB060 7MBP150RTB060 6MBP25RA120 6MBP50RA120 6MBP75RA120 6MBP100RA120 6MBP150RA120 7MBP25RA120 7MBP50RA120 7MBP75RA120 7MBP100RA120 7MBP150RA120
五、7MBR系列含整流橋7合1 智能功率集成模塊（PIM），部分型號(hào)如下：
7MBR10SA120 7MBR15SA120 7MBR25SA120 7MBR35SB120 7MBR30SA060 7MBR50SA060 7MBR50SB060 7MBR75SB060 7MBR100SB060
FUJI P 系列IGBT采用GPT工藝制造，比PT （Punch-Through）IGBT有更多的優(yōu)越性，特別適用于變頻器、交流伺服電機(jī)系統(tǒng)、UPS、電焊機(jī)電源等領(lǐng)域。
特性：
1.額定電流是 TC=80℃時(shí)的數(shù)值。
2.VCE（SAT）與溫度成正比，易于并聯(lián)。
3.開關(guān)損耗的溫度系數(shù)比PT-IGBT小，當(dāng)溫度升高時(shí)，其開關(guān)損耗比PT-IGBT小。因此，P系列更適合高頻應(yīng)用。
4.1400V系列模塊適合用于AC380~575V的功率變換設(shè)備。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作區(qū)，RBSOA（反偏安全工作區(qū)）和SCSOA（短路安全工作區(qū)）都為矩形。其 RBSOA可達(dá)額定電流的兩倍，SCSOA可達(dá)額定電流的十倍。因此，吸收電路可大大簡化，同時(shí)，短路承受能力大大提高。
6.低損耗、軟開關(guān)、dv/dt只有普通模塊的1/2，大大降低了EMI噪聲。
IGBT是綜合 MOSFET（場效應(yīng)晶體管）和 BJT（雙極晶體管）兩者的優(yōu)點(diǎn)，從而使其在當(dāng)今可關(guān)斷器件方面應(yīng)用廣泛。FUJI公司的L系列IGBT其偏重于MOSFET方面特性，適合逆變電焊機(jī)及各種高頻開關(guān)電源。特別是在高頻開關(guān)情況下，采用軟開關(guān)技術(shù)，可以zui大限度地減少IGBT損耗 2MBI50L-120 2單元 50A 1200V 適于
250A電焊機(jī)
2MBI75L-120 2單元 75A 1200V 315A電焊機(jī)
2MBI100L-120 2單元 100A 1200V 400A電焊機(jī)
2MBI150L-120 2單元 150A 1200V 500A電焊機(jī)
2MBI200L-120 2單元 200A 1200V 630A電焊機(jī)
IGBT在變頻器中的應(yīng)用：由 于IGBT模塊MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT網(wǎng)格通過一層氧化膜和發(fā)射器實(shí)現(xiàn)電氣隔離。由于氧化膜非常薄,其擊穿電壓一般20 ~ 30 v .因此引起的靜態(tài)電網(wǎng)故障的常見原因之一IGBT的失敗。因此使用應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),不要觸摸驅(qū)動(dòng)器終端部分,當(dāng)必須觸摸模塊終端靜電對(duì)人體或 衣服大電阻接地放電后,再次觸摸;與導(dǎo)電材料模塊驅(qū)動(dòng)程序終端連接,連接沒有連接之前請(qǐng)不要插入模塊;地板的條件下盡可能好的接地操作。有時(shí),盡管在應(yīng)用 程序以確保門驅(qū)動(dòng)電壓不超過電網(wǎng)zui大額定電壓,但網(wǎng)格之間的寄生電感和電容耦合連接網(wǎng)格和收藏家,也會(huì)產(chǎn)生氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常由雙絞線傳輸 信號(hào),以減少寄生電感。小電阻串聯(lián)在電網(wǎng)連接也可以抑制振蕩電壓。此外,在開放的柵極,如果電極間的電壓和收集器和發(fā)射,電極電位的變化,由于泄漏電流流 經(jīng)收集器,更高的柵極電壓,電流流經(jīng)收集器。此時(shí),如果收藏家和發(fā)射電極的高電壓,它可以使IGBT發(fā)燒時(shí)損壞。IGBT的使用場合,當(dāng)柵極電路正?；驏?極電路損壞(網(wǎng)格在開路狀態(tài)),如果在主電路和電壓,IGBT將受損,為了防止此類故障,應(yīng)該是門和發(fā)射極之間串接一個(gè)10 kΩ阻力。安裝或更換IGBT模塊的時(shí)候,我們應(yīng)該高度重視的接觸狀態(tài)IGBT模塊與散熱器和收緊。為了減少接觸熱阻,散熱器和IGBT模塊之間的zui佳熱 導(dǎo)電硅膠。一般散熱器安裝在底部的冷卻風(fēng)扇,當(dāng)散熱器冷卻的冷卻風(fēng)扇損壞壞熱將導(dǎo)致IGBT模塊,和失敗。定期檢查冷卻風(fēng)扇,通常在附近的散熱器IGBT 模塊配備溫度傳感器,當(dāng)溫度太高會(huì)報(bào)警或停止IGBT模塊的工作。
IGBT 模塊的電壓規(guī)格和設(shè)備的輸入電源或嘗試使用的電源電壓是密切相關(guān)的。請(qǐng)參閱下面的表之間的關(guān)系。時(shí)使用IGBT模塊集電極電流增加時(shí),額定損失更大。增加 同時(shí),開關(guān)損失,原來的發(fā)燒而加劇,因此,在選擇IGBT模塊額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是在高頻開關(guān),使用時(shí)由于切換損失增加,發(fā)熱和選擇時(shí)應(yīng)該減少 使用,等等。
IGBT器件在太陽能光伏逆變器中的應(yīng)用：太陽能逆變器的設(shè)計(jì)中，常用的IGBT分別為平面型IGBT和溝道型IGBT。在平面型IGBT中，多晶硅柵 極是呈“平面”分布或者相對(duì)于p+體區(qū)是水平分布的。在溝道型IGBT中，多晶硅柵極是以“溝道方式向下”進(jìn)入p+體區(qū)。這種結(jié)構(gòu)有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，就是可以減 小通道對(duì)電子流的阻力并消除電流擁擠現(xiàn)象，因?yàn)榇藭r(shí)電子垂直地在通道中流過。在平面型IGBT中，電子以某種角度進(jìn)入通道，引起電流擁擠，從而增加電子流 的阻力。在溝道型IGBT中，電子流的增強(qiáng)使Vce(on)大幅度降低。
除了降低Vce(on)外，通過將IGBT改成更薄的結(jié)構(gòu)可以降低開關(guān)能量。結(jié)構(gòu)越薄則空穴-電子復(fù)合速度就越快，這降低了IGBT關(guān)斷時(shí)的拖尾電流。為 保持相同的耐擊穿電壓能力，在溝道型IGBT內(nèi)構(gòu)造了一個(gè)n場阻止層，以便在IGBT上的電壓增大時(shí)，阻止電場到達(dá)集電極區(qū)域。這樣實(shí)現(xiàn)的更低的傳導(dǎo)能量 和開關(guān)能量允許逆變器的尺寸更小，或者相同尺寸逆變器的功率密度更大。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)
既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn) 品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。 IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命zui具代表性的產(chǎn)品，是未來應(yīng)用發(fā)展的必然方向。IGBT可廣泛應(yīng)用于電力領(lǐng)域、消費(fèi)電子、汽車電子、新能源等傳 統(tǒng)和新興領(lǐng)域，市場前景廣闊。
變頻家電市場的爆發(fā)性增長推動(dòng)IGBT的快速成長。低功率IGBT主要應(yīng)用于變頻家電，目前中國變頻家電滲透率低，具有較大市場潛力。除了變頻 家電，無火烹飪時(shí)尚電磁爐也有IGBT的用武之地。電磁爐正逐漸演變?yōu)橹饕毒撸琁GBT由于其高頻、低損耗的特性成為電磁爐內(nèi)的關(guān)鍵器件。目前中國電磁 爐年產(chǎn)量為4000萬臺(tái)，未來將以20%~30%速度增長，直接帶動(dòng)IGBT單管的發(fā)展。
電機(jī)用電是國家用電主體，變頻器節(jié)能地位的凸顯，是IGBT產(chǎn)業(yè)成長的另一大助力。變頻器是目前zui理想的電機(jī)節(jié)能設(shè)備，有著極為廣闊的應(yīng)用空 間。通過應(yīng)用變頻調(diào)速技術(shù)，變頻器能過調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速，使電動(dòng)機(jī)在zui節(jié)能的轉(zhuǎn)速下運(yùn)行，大大降低運(yùn)行時(shí)的電能消耗。IGBT是變頻器的關(guān)鍵零部件。IGBT 是3kV及以上高壓變頻器的重要零部件，單臺(tái)高壓變頻器中IGBT占成本4%~15%。3kV以下中低壓變頻器方面，根據(jù)深圳英威騰(002334,股 吧)(002334,股吧)資料顯示，IGBT占總成本26%左右。目前中國電機(jī)配備變頻器不足10%，尚處于粗放式用電的階段，市場潛力巨大。變頻器還 廣泛應(yīng)用于造紙、機(jī)床、冶金等領(lǐng)域，對(duì)IGBT部件的需求廣泛。
高速列車市場對(duì)IGBT有巨大的需求潛力。未來三年中國高速鐵路需完成1萬公里的里程建設(shè)，鐵路建設(shè)進(jìn)度加快。截至2009年底中國高速鐵路運(yùn) 營總里程為2830公里，而根據(jù)規(guī)劃2012年需達(dá)到1.3萬公里。地鐵、城鐵規(guī)劃風(fēng)生水起。至少25個(gè)城市計(jì)劃建設(shè)或擴(kuò)展地鐵，總計(jì)達(dá)數(shù)千公里，對(duì)車廂 需求在1000個(gè)以上。長三角等區(qū)域擬定總計(jì)逾3000公里的城際鐵路規(guī)劃，加大了對(duì)動(dòng)車組列車的需求。大功率IGBT模塊是電力機(jī)車和高速動(dòng)車組的必需 組件。電力機(jī)車一般需要500個(gè)IGBT模塊，動(dòng)車組需要超過100個(gè)IGBT模塊，一節(jié)地鐵需要50-80個(gè)IGBT模塊。高速列車市場的繁榮必然帶動(dòng) 對(duì)IGBT模塊的巨大需求
新能源產(chǎn)業(yè)的興起成為未來IGBT市場的突破點(diǎn)。太陽能和風(fēng)能發(fā)電都需用到逆變器，IGBT是解決逆變器的通用方式。太陽能需要將直流電變?yōu)榻?流電，再并網(wǎng)使用;風(fēng)力發(fā)電需要將產(chǎn)生的非固定頻率交流電進(jìn)行“交—直—交”轉(zhuǎn)換，再并網(wǎng)使用。太陽能、風(fēng)能在發(fā)電過程中需要逆變器才能實(shí)現(xiàn)電流的轉(zhuǎn)換。 IGBT是逆變器的重要部件，決定逆變器的性能?；旌蟿?dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)的出現(xiàn)為IGBT創(chuàng)造了一個(gè)新的市場。在HEV和EV領(lǐng) 域，IGBT應(yīng)用于逆變器中，逆變器負(fù)責(zé)蓄電池的直-交轉(zhuǎn)換，從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。
智能電網(wǎng)從規(guī)劃到大規(guī)模的實(shí)施，也將成為IGBT新的市場增長點(diǎn)。在智能電網(wǎng)領(lǐng)域，中國擁有全球ling先超高壓直流輸變電技術(shù)與特高壓交流輸電技 術(shù)。2009年國家電網(wǎng)向家壩至上?！?00千伏特高壓直流輸電線路全線貫通,該工程多項(xiàng)創(chuàng)新直流輸電技術(shù)處于世界ling先水平。IGBT是超高壓直流輸變電 技術(shù)、特高壓交流輸電技術(shù)的核心元器件,為技術(shù)提供保障。智能電網(wǎng)的大規(guī)模實(shí)施將實(shí)現(xiàn)中國IGBT和智能電網(wǎng)的“雙贏”。智能電網(wǎng)對(duì)IGBT需求量每年可 達(dá)4億元，IGBT將直接受益于其巨大的市場需求。同時(shí)，IGBT國產(chǎn)化有利于維護(hù)中國在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的全球ling先地位。
富士電機(jī)開發(fā)了IGBT模塊作為電動(dòng)機(jī)的可變速驅(qū)動(dòng)裝置或不間斷電源裝置等的電力轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件。IGBT是同時(shí)具有功率MOSFET的高速開關(guān)性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件。公司與多家傳感器制造商/半導(dǎo)體生產(chǎn)商建立了穩(wěn)定、長久的合作關(guān)系，積累了專業(yè)的傳感器知識(shí)及豐富的銷售經(jīng)驗(yàn)，豐富的儲(chǔ)備，能夠?yàn)橛脩籼峁I(yè)、完善的解決方案。
質(zhì)保承諾：
所有供應(yīng)產(chǎn)品保證全新原裝（客戶特殊要求的情況除外），產(chǎn)品質(zhì)量完全符合廠家產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)以及技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)要求.
庫存與運(yùn)輸管理：
產(chǎn)品存放采用標(biāo)準(zhǔn)的防靜電、防高溫、防腐蝕管理手段，嚴(yán)格按照客戶要求進(jìn)行包裝和運(yùn)輸。
出貨保證：
所有出貨產(chǎn)品根據(jù)客戶要求提供一定質(zhì)保期限，同時(shí)誠摯建議終端用戶在進(jìn)行全部或抽樣使用或測試時(shí)采用插座，避免直接焊板造成芯片管腳損壞。
