產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品介紹
PREH壓力變送器其測原理是：流程壓力和參考壓力分別作用于集成硅壓力元件的兩端，其差壓使硅片變形(位移很小，僅μm級)，以使硅片上用半導體技術制成的全動態(tài)惠斯登電橋在外部電流源驅動下輸出正比于壓力的mV級電壓信號。由于硅材料的彈性，所以輸出信號的線性度及變差指標均很高。工作時，PREH壓力變送器將被測物理量轉換成mV級的電壓信號，并送往放大倍數(shù)很高而又可以互相抵消溫度漂移的差動式放大器。放大后的信號經(jīng)電壓電流轉換變換成相應的電流信號，再經(jīng)過非線性校正，最后產(chǎn)生與輸入壓力成線性對應關系的標準電流電壓信號。PREH壓力變送器其測原理是：流程壓力和參考壓力分別作用于集成硅壓力元件的兩端，其差壓使硅片變形(位移很小，僅μm級)，以使硅片上用半導體技術制成的全動態(tài)惠斯登電橋在外部電流源驅動下輸出正比于壓力的mV級電壓信號。由于硅材料的彈性，所以輸出信號的線性度及變差指標均很高。工作時，PREH壓力變送器將被測物理量轉換成mV級的電壓信號，并送往放大倍數(shù)很高而又可以互相抵消溫度漂移的差動式放大器。放大后的信號經(jīng)電壓電流轉換變換成相應的電流信號，再經(jīng)過非線性校正，最后產(chǎn)生與輸入壓力成線性對應關系的標準電流電壓信號。PREH壓力變送器其測原理是：流程壓力和參考壓力分別作用于集成硅壓力元件的兩端，其差壓使硅片變形(位移很小，僅μm級)，以使硅片上用半導體技術制成的全動態(tài)惠斯登電橋在外部電流源驅動下輸出正比于壓力的mV級電壓信號。由于硅材料的彈性，所以輸出信號的線性度及變差指標均很高。工作時，PREH壓力變送器將被測物理量轉換成mV級的電壓信號，并送往放大倍數(shù)很高而又可以互相抵消溫度漂移的差動式放大器。放大后的信號經(jīng)電壓電流轉換變換成相應的電流信號，再經(jīng)過非線性校正，最后產(chǎn)生與輸入壓力成線性對應關系的標準電流電壓信號。
詳細參數(shù)
壓力：250 bar
電壓：0…10 V
電流：4…20 mA
