產(chǎn)品詳情
品牌：SEMELAB型號：D1010UK產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管晶體管極性：N-Channel技術：SiId-連續(xù)漏極電流：20 AVds-漏源極擊穿電壓：70 V增益：10 dB輸出功率：125 W工作溫度：+ 150 C安裝風格：SMD/SMT封裝 / 箱體：DR配置：Dual高度：5.08 mm長度：34.03 mm工作頻率：500 MHz類型：RF Power MOSFET寬度：22.22 mm商標：Semelab / TT Electronics通道模式：EnhancementPd-功率耗散：389 W產(chǎn)品類型：RF MOSFET Transistors工廠包裝數(shù)量：10子類別：MOSFETsVgs - 柵極-源極電壓：20 VVgs th-柵源極閾值電壓：1 V to 7 V
牌：SEMELAB型號：D1010UK批號：16+封裝：高頻管數(shù)量：3540QQ：375276207制造商：TT Electronics產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管晶體管極性：N-Channel技術：SiId-連續(xù)漏極電流：20 AVds-漏源極擊穿電壓：70 V增益：10 dB輸出功率：125 W工作溫度：+ 150 C安裝風格：SMD/SMT封裝 / 箱體：DR配置：Dual高度：5.08 mm長度：34.03 mm工作頻率：500 MHz類型：RF Power MOSFET寬度：22.22 mm商標：Semelab / TT Electronics通道模式：EnhancementPd-功率耗散：389 W產(chǎn)品類型：RF MOSFET Transistors工廠包裝數(shù)量：10子類別：MOSFETsVgs - 柵極-源極電壓：20 VVgs th-柵源極閾值電壓：1 V to 7 V
