日本HD刻蝕工藝諧波傳動CSF-32-50-2UH-SP

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第13年

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詳細參數(shù)
品牌HarmonicDrive型號CSF-32-50-2UH
類型諧波減速器載荷狀態(tài)強沖擊載荷
傳動比級數(shù)雙級軸的相對位置立式加速器
傳動布置形式擺線式加工定制是
樣品或現(xiàn)貨現(xiàn)貨齒面硬度軟齒面
布局形式三環(huán)式用途減速機
輸入轉(zhuǎn)速3000rpm額定功率360kw
輸出轉(zhuǎn)速范圍50rpm許用扭矩691N.m
使用范圍化工減速比2422
產(chǎn)地日本

產(chǎn)品詳情

（3）刻蝕  刻蝕是在沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。日本HD刻蝕工藝諧波傳動CSF-32-50-2UH-SP一般使用等離子體刻蝕機、等離子體去膠機和濕法清洗設(shè)備?，F(xiàn)在主要使用干法等離子體刻蝕工藝。

（4）離子注入  離子注入是亞微米工藝中最常見的摻雜方法。  將要摻入的雜質(zhì)，如砷

(As)、磷（P）、硼（B）注入離子注入機，經(jīng)過電離日本HD刻蝕工藝諧波傳動CSF-32-50-2UH-SP，再由高電壓或磁場控制并加速，高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面，最后進行去膠和清洗硅片完成離子注入。

（5）薄膜生長  薄膜生長工藝用來加工出半導體中的介質(zhì)層、金屬層。薄膜工藝包括化學氣相淀積（CVD）和金屬濺射（物理氣相淀積，PVD）。薄膜產(chǎn)生后需要使用快速退火裝置（RPT）修復離子注入引入的襯底損傷，日本HD刻蝕工藝諧波傳動CSF-32-50-2UH-SP以及完成金屬的合金化。最后使用濕法清洗設(shè)備進行硅片清洗。

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